HS3J R6
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | HS3J R6 |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
HS3GB R5 TSC
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
SMC 600V 3.0A Diodes Rectifier
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
HS3J T/R Original
Diodes - Rectifiers - Single SMB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
SMB 400V 3.0A Diodes Rectifier
SMC
50NS, 3A, 400V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
50NS, 3A, 400V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
2024/09/9
2025/01/2
2024/04/13
2024/01/23
HS3J R6Taiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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